پس از آندایزینگ تا ۱۹۰ ولت که دقیقا بالای ولتاژی است که آن اولین جرقه مرئی در آن دیده شده بود، یک مقطع بسیار ریز از فیلم مشاهده شد که بر اساس آن، ضخامت فیلم یکنواخت نبوده است. علاوه بر آن، سطح فيلم زبرتر از فصل مشترک ف/ فیلم بود. بعضی از مناطق این مقطع شامل فیلمی محافظ، شبیه فیلم مشاهده شده در زیر ولتاژ شکست بودند اما ضخامت فیلم، تعداد نانوبلورهاها و حبابهای اکسیژن به دلیل افزایش زمان آندایزینگ، افزایش پیدا کرده بود. نسبت تشکیل این فیلم نزدیک به نسبت تشکیل فیلم تشکیل شده در ۱۰۰ ولت (حدود 9/1 نانومتر بر ولت، علاوه بر این مناطق از فیلم با ضخامت یکنواخت، مناطق دیگری هم وجود داشتند که در مکانهای شکست دی الکتریک به صورت موضعی ضخیم تر شده بود. افزایش ضخامت فیلم، باعث فرورفتگی موضعی فصل مشترک فار فیلم شده بود، کاهش نسبت تشکیل ممکن است در اثر ایجاد اکسیژن و ماده بلوری در فیلم داخلی باشد. به نظر میرسد که دماهای موضعی بالا، باعث افزایش رشد نانوبلورها در مناطقی از فیلم محافظه که در نزدیکی مکان شکست قرار دارند و هم چنین جوانه زنی بلورهاها در ماده آمورف شود. از این رو در فیلم، نواحی بلوری نسبتا وسیعی در زیر و در مجاورت حفره مربوط به ناحیه شکست بررسی شده وجود دارند. شروع شکست دی الکتریکی هم زمان با تشکیل ماده غنی از فسفر در بالای پوشش داخلی مربوط به تیتانیای بلوری و آمورف بود. با توجه به تحقیقات قبلی، نسبت انمي P:Ti در فیلمهای محافظ تیتانیای آندی تشکیل شده در اسید فسفریک، در حدود 04/0 میباشد [۴۳] که این نسبت در ماده خارجی تشکیل شده در پوششهای حاضر در حدود ۱۰ برابر میباشد. احتمالا فسفر در فیلم محافظ یکنواخت، به صورت یونهای فسفات حضور دارد که با مهاجرت یونهای فسفات به سمت داخل فیلم مطابقت دارد [۴۳]. حالت شیمیایی و تحرک فسفر در ماده غنی از فسفر، مشخص نیست. پس از عملیات تا ۳۰۰ و ۲۴۰ ولت، ماده غنی از فسفر باز هم ضخیم تر میشود، بر اساس GDOES، مقادیر زیاد فسفر در پوشش تشکیل شده تا ۲۴۰ ولت، در سرتاسر ضخامت پوشش وجود دارند. در مقابل با افزایش زمان پاشش، غلظت کلسیم کاهش مییابد. افزایش غلظت کلسیم به سمت سطح ممکن است به واسطه افزایش ورود کلسیم از الکترولیت با افزایش زمان آندایزینگ با انتقال کلسیم به سمت خارج، در پوشش باشد. در اثر گرم شدن ناشی از جریانهای زیاد در مکانهای شکست دی الکتریک، ممکن است پوشش در طول رشد به صورت موضعی به حالت مایع یا بسیار پلاستیک باشد. به نظر میرسد که ورود مقادیر زیاد فسفر و همچنین کلسیم، باعث تشکیل پوششی با ساختار عمدتا آمورف در دمای اتاق میشود.
پس از آندایزینگ تا ۱۹۰ ولت که دقیقا بالای ولتاژی است که آن اولین جرقه مرئی در آن دیده شده بود، یک مقطع بسیار ریز از فیلم مشاهده شد که بر اساس آن، ضخامت فیلم یکنواخت نبوده است. علاوه بر آن، سطح فيلم زبرتر از فصل مشترک ف/ فیلم بود. بعضی از مناطق این مقطع شامل فیلمی محافظ، شبیه فیلم مشاهده شده در زیر ولتاژ شکست بودند اما ضخامت فیلم، تعداد نانوبلورهاها و حبابهای اکسیژن به دلیل افزایش زمان آندایزینگ، افزایش پیدا کرده بود. نسبت تشکیل این فیلم نزدیک به نسبت تشکیل فیلم تشکیل شده در ۱۰۰ ولت (حدود 9/1 نانومتر بر ولت، علاوه بر این مناطق از فیلم با ضخامت یکنواخت، مناطق دیگری هم وجود داشتند که در مکانهای شکست دی الکتریک به صورت موضعی ضخیم تر شده بود. افزایش ضخامت فیلم، باعث فرورفتگی موضعی فصل مشترک فار فیلم شده بود، کاهش نسبت تشکیل ممکن است در اثر ایجاد اکسیژن و ماده بلوری در فیلم داخلی باشد. به نظر میرسد که دماهای موضعی بالا، باعث افزایش رشد نانوبلورها در مناطقی از فیلم محافظه که در نزدیکی مکان شکست قرار دارند و هم چنین جوانه زنی بلورهاها در ماده آمورف شود. از این رو در فیلم، نواحی بلوری نسبتا وسیعی در زیر و در مجاورت حفره مربوط به ناحیه شکست بررسی شده وجود دارند. شروع شکست دی الکتریکی هم زمان با تشکیل ماده غنی از فسفر در بالای پوشش داخلی مربوط به تیتانیای بلوری و آمورف بود. با توجه به تحقیقات قبلی، نسبت انمي P:Ti در فیلمهای محافظ تیتانیای آندی تشکیل شده در اسید فسفریک، در حدود 04/0 میباشد [۴۳] که این نسبت در ماده خارجی تشکیل شده در پوششهای حاضر در حدود ۱۰ برابر میباشد. احتمالا فسفر در فیلم محافظ یکنواخت، به صورت یونهای فسفات حضور دارد که با مهاجرت یونهای فسفات به سمت داخل فیلم مطابقت دارد [۴۳]. حالت شیمیایی و تحرک فسفر در ماده غنی از فسفر، مشخص نیست. پس از عملیات تا ۳۰۰ و ۲۴۰ ولت، ماده غنی از فسفر باز هم ضخیم تر میشود، بر اساس GDOES، مقادیر زیاد فسفر در پوشش تشکیل شده تا ۲۴۰ ولت، در سرتاسر ضخامت پوشش وجود دارند. در مقابل با افزایش زمان پاشش، غلظت کلسیم کاهش مییابد. افزایش غلظت کلسیم به سمت سطح ممکن است به واسطه افزایش ورود کلسیم از الکترولیت با افزایش زمان آندایزینگ با انتقال کلسیم به سمت خارج، در پوشش باشد. در اثر گرم شدن ناشی از جریانهای زیاد در مکانهای شکست دی الکتریک، ممکن است پوشش در طول رشد به صورت موضعی به حالت مایع یا بسیار پلاستیک باشد. به نظر میرسد که ورود مقادیر زیاد فسفر و همچنین کلسیم، باعث تشکیل پوششی با ساختار عمدتا آمورف در دمای اتاق میشود.
پس از آندایزینگ تا ۱۹۰ ولت که دقیقا بالای ولتاژی است که آن اولین جرقه مرئی در آن دیده شده بود، یک مقطع بسیار ریز از فیلم مشاهده شد که بر اساس آن، ضخامت فیلم یکنواخت نبوده است. علاوه بر آن، سطح فيلم زبرتر از فصل مشترک ف/ فیلم بود. بعضی از مناطق این مقطع شامل فیلمی محافظ، شبیه فیلم مشاهده شده در زیر ولتاژ شکست بودند اما ضخامت فیلم، تعداد نانوبلورهاها و حبابهای اکسیژن به دلیل افزایش زمان آندایزینگ ، افزایش پیدا کرده بود. نسبت تشکیل این فیلم نزدیک به نسبت تشکیل فیلم تشکیل شده در ۱۰۰ ولت (حدود 9/1 نانومتر بر ولت، علاوه بر این مناطق از فیلم با ضخامت یکنواخت، مناطق دیگری هم وجود داشتند که در مکانهای شکست دی الکتریک به صورت موضعی ضخیم تر شده بود. افزایش ضخامت فیلم، باعث فرورفتگی موضعی فصل مشترک فار فیلم شده بود، کاهش نسبت تشکیل ممکن است در اثر ایجاد اکسیژن و ماده بلوری در فیلم داخلی باشد. به نظر میرسد که دماهای موضعی بالا، باعث افزایش رشد نانوبلورها در مناطقی از فیلم محافظه که در نزدیکی مکان شکست قرار دارند و هم چنین جوانه زنی بلورها در ماده آمورف شود. از این رو در فیلم، نواحی بلوری نسبتا وسیعی در زیر و در مجاورت حفره مربوط به ناحیه شکست بررسی شده وجود دارند. شروع شکست دی الکتریکی هم زمان با تشکیل ماده غنی از فسفر در بالای پوشش داخلی مربوط به تیتانیای بلوری و آمورف بود. با توجه به تحقیقات قبلی، نسبت انمي P:Ti در فیلمهای محافظ تیتانیای آندی تشکیل شده در اسید فسفریک، در حدود 04/0 میباشد [۴۳] که این نسبت در ماده خارجی تشکیل شده در پوششهای حاضر در حدود ۱۰ برابر میباشد. احتمالا فسفر در فیلم محافظ یکنواخت، به صورت یونهای فسفات حضور دارد که با مهاجرت یونهای فسفات به سمت داخل فیلم مطابقت دارد [۴۳]. حالت شیمیایی و تحرک فسفر در ماده غنی از فسفر، مشخص نیست. پس از عملیات تا ۳۰۰ و ۲۴۰ ولت، ماده غنی از فسفر باز هم ضخیم تر میشود، بر اساس GDOES، مقادیر زیاد فسفر در پوشش تشکیل شده تا ۲۴۰ ولت، در سرتاسر ضخامت پوشش وجود دارند. در مقابل با افزایش زمان پاشش، غلظت کلسیم کاهش مییابد. افزایش غلظت کلسیم به سمت سطح ممکن است به واسطه افزایش ورود کلسیم از الکترولیت با افزایش زمان آنادایزینگ آلومینیوم با انتقال کلسیم به سمت خارج، در پوشش باشد. در اثر گرم شدن ناشی از جریانهای زیاد در مکانهای شکست دی الکتریک، ممکن است پوشش در طول رشد به صورت موضعی به حالت مایع یا بسیار پلاستیک باشد. به نظر میرسد که ورود مقادیر زیاد فسفر و همچنین کلسیم، باعث تشکیل پوششی با ساختار عمدتا آمورف در دمای اتاق میشود.
پس از آندایزینگ تا ۱۹۰ ولت که دقیقا بالای ولتاژی است که آن اولین جرقه مرئی در آن دیده شده بود، یک مقطع بسیار ریز از فیلم مشاهده شد که بر اساس آن، ضخامت فیلم یکنواخت نبوده است. علاوه بر آن، سطح فيلم زبرتر از فصل مشترک ف/ فیلم بود. بعضی از مناطق این مقطع شامل فیلمی محافظ، شبیه فیلم مشاهده شده در زیر ولتاژ شکست بودند اما ضخامت فیلم، تعداد نانوبلورهاها و حبابهای اکسیژن به دلیل افزایش زمان آندایزینگ ، افزایش پیدا کرده بود. نسبت تشکیل این فیلم نزدیک به نسبت تشکیل فیلم تشکیل شده در ۱۰۰ ولت (حدود 9/1 نانومتر بر ولت، علاوه بر این مناطق از فیلم با ضخامت یکنواخت، مناطق دیگری هم وجود داشتند که در مکانهای شکست دی الکتریک به صورت موضعی ضخیم تر شده بود. افزایش ضخامت فیلم، باعث فرورفتگی موضعی فصل مشترک فار فیلم شده بود، کاهش نسبت تشکیل ممکن است در اثر ایجاد اکسیژن و ماده بلوری در فیلم داخلی باشد. به نظر میرسد که دماهای موضعی بالا، باعث افزایش رشد نانوبلورها در مناطقی از فیلم محافظه که در نزدیکی مکان شکست قرار دارند و هم چنین جوانه زنی بلورها در ماده آمورف شود. از این رو در فیلم، نواحی بلوری نسبتا وسیعی در زیر و در مجاورت حفره مربوط به ناحیه شکست بررسی شده وجود دارند. شروع شکست دی الکتریکی هم زمان با تشکیل ماده غنی از فسفر در بالای پوشش داخلی مربوط به تیتانیای بلوری و آمورف بود. با توجه به تحقیقات قبلی، نسبت انمي P:Ti در فیلمهای محافظ تیتانیای آندی تشکیل شده در اسید فسفریک، در حدود 04/0 میباشد [۴۳] که این نسبت در ماده خارجی تشکیل شده در پوششهای حاضر در حدود ۱۰ برابر میباشد. احتمالا فسفر در فیلم محافظ یکنواخت، به صورت یونهای فسفات حضور دارد که با مهاجرت یونهای فسفات به سمت داخل فیلم مطابقت دارد [۴۳]. حالت شیمیایی و تحرک فسفر در ماده غنی از فسفر، مشخص نیست. پس از عملیات تا ۳۰۰ و ۲۴۰ ولت، ماده غنی از فسفر باز هم ضخیم تر میشود، بر اساس GDOES، مقادیر زیاد فسفر در پوشش تشکیل شده تا ۲۴۰ ولت، در سرتاسر ضخامت پوشش وجود دارند. در مقابل با افزایش زمان پاشش، غلظت کلسیم کاهش مییابد. افزایش غلظت کلسیم به سمت سطح ممکن است به واسطه افزایش ورود کلسیم از الکترولیت با افزایش زمان آنادایزینگ آلومینیوم با انتقال کلسیم به سمت خارج، در پوشش باشد. در اثر گرم شدن ناشی از جریانهای زیاد در مکانهای شکست دی الکتریک، ممکن است پوشش در طول رشد به صورت موضعی به حالت مایع یا بسیار پلاستیک باشد. به نظر میرسد که ورود مقادیر زیاد فسفر و همچنین کلسیم، باعث تشکیل پوششی با ساختار عمدتا آمورف در دمای اتاق میشود.
درباره این سایت